1. 在完全培养液中培养特转染细胞至对数生长晚期，4℃ 640 g 离心5 min，收集细胞。
2. 将细胞沉淀用其半量体积的预冷电穿孔缓冲液重悬洗涤，4℃ 640 g 离心5 min。
3. 对于稳定转染，将细胞以1×10 7 /ml的密度重悬于0℃的电穿孔缓冲液中。对于短暂表达，可用更高密度的细胞。
4. 在冰上放置所需数量的电穿孔用的电击池，毎池中栘入0.5 ml 细胞悬液。
5. 将DNA加入冰上各电击池的细胞悬液中。握住电击池两侧的“窗口”，晃动其底部以混匀细胞悬液，在冰上放置5 min。
6. 将电击池放入电穿孔装置的架上用所设定的电压及电容值电击一次或多次。
7. 将电击池置于冰上10 min。
8. 用非选择性完全培养液20倍稀释被转染的细胞，并用该液洗电击池以移出所有的被转染细胞。
9. 对于稳定转染，在非选择培养液中培养细胞48h （大约2代），然后转入含有抗生素的 培养液中。
10. 对于短暂表达，培养细胞50~60 h 后，收集细胞进行短暂表达分析。